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PNP硅平面介质功率 大电流晶体管ZTX951

时间:2019-3-8, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

ZTX951PNP硅平面介质功率

大电流晶体管

4安培持续电流

最高15安培峰值电流

非常低的饱和电压

高达10安培的卓越增益

提供SPICE型号

绝对最大额定值。

参数符号值单位

集电极基极电压VCBO-100 V

集电极-发射极电压VCEO-60 V

发射极基极电压VEBO-6 V

峰值脉冲电流Icm-15 A

连续集电极电流IC-4 A

实际功耗*ptotp 1.58 W

Tamb=25°C时的功耗ptot 1.2 W

工作和储存温度范围tj:tstg-55至+200°C

*假设设备以典型方式安装在P.C.B.上,且铜至少等于1平方英寸,则可耗散的功率。

电气特性(除非另有说明,否则在环境温度=25°C时)

参数符号最小类型最大单位条件。

集电极基极击穿

电压

V(Br)CBO-100-140 V IC=-100微安

集电极-发射极击穿

沃尔塔格

V(Br)CER-100-140 V IC=-1微安,Rb≤1千欧

集电极-发射极击穿

电压

V(BR)CEO-60-90 V IC=-10 mA*

发射极基极击穿

电压

V(Br)EBO-6-8 V Ie=-100微安

集电极截止电流icbo-50- 1钠甲

VCB=-80V

VCB=-80V,环境温度=100°C

集电极截止电流Icer

r小于1k- 50- 1钠甲

VCB=-80V

VCB=-80V,环境温度=100°C

发射极截止电流iebo-10 na veb=-6V

集电极-发射极饱和

电压

VCE(SAT)- 15 - 60 - 120- 220- 50- 100- 160- 300中频

Ic=-100mA,Ib=-10mA*

Ic=-1a,Ib=-100mA*

Ic=-2a,Ib=-200mA*

Ic=-4a,Ib=-400毫安*

基极发射极

饱和电压

VBE(SAT)-960-1100 mV IC=-4a,IB=-400mA*

产品规格

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: Diodes Incorporated

产品分类: 双极晶体管 - BJT

RoHS指令: 细节

安装方式: 通孔

包装/案例: TO-92-3

晶体管极性: PNP

组态: 单

集电极 - 发射极电压VCEO Max: 60伏

集电极 - 基极电压VCBO: - 100 V

发射极 - 基极电压VEBO: - 6 V

最大直流集电极电流: 4 A.

增益带宽产品fT: 120 MHz

最低工作温度: - 55 C.

最高工作温度: + 150 C

系列: ZTX951

高度: 4.01毫米

长度: 4.77毫米

打包: 块

宽度: 2.41毫米

牌: Diodes Incorporated

连续收集器电流: - 4 A.

CNHTS: 8541210000

HTS代码: 8541210095

MXHTS: 85412101

Pd - 功耗: 1.2 W

产品类别: BJTs - 双极晶体管

工厂包装数量: 4000

类别: 晶体管

TARIC: 8541210000

单重: 0.015873盎司

电气特性(Tamb = 25°C)

PARAMETER SYMBOL MIN。TYP。MAX。 单位条件。

基射

开启电压

VBE(on)-850 -1000 mV IC = -4A,VCE = -1V *

静态转发

电流转移率

hFE 100 100 75 10 200 200 120 25 300

IC = -10mA,VCE = -1V *

IC = -1A,VCE = -1V *

IC = -4A,VCE = -1V *

IC = -10A,VCE = -1V *

转换频率fT 120 MHz IC = -100mA,VCE = -10V

F =50MHz的

输出电容Cobo 74 pF VCB = -10V,f = 1MHz 82 350 NS

IC = -2A,IB1 = -200mA

IB2 = 200mA,VCC = -10V

*在脉冲条件下测量。 脉冲宽度=300μs。 工作周期≤2%

热特性

PARAMETER SYMBOL MAX。 单元

热阻:连接到环境

案件的结合点


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