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SOT89中的100V NPN低饱和介质功率晶体管

时间:2019-3-4, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

特征

4.5a高持续电流

Icm=10a峰值脉冲电流

Rce(Sat)=31mΩ,对于低等效通电阻

低饱和电压VCE(SAT)<60mV@IC=1A

高电流增益保持高达10安的HFE

无铅表面处理;符合RoHS(注释1和2)

不含卤素和锑。“绿色”装置(注3)

符合AEC-Q101高可靠性标准

说明

封装在SOT89中概述了这种新的低饱和100V NPN晶体管

提供极低的状态损耗,非常适合用于直流-直流电路。

以及各种驾驶和动力管理功能。

特征

4.5安培持续电流

最高10安培峰值电流

非常低的饱和电压

应用

电机驱动

线路切换

高压侧开关

用户线路接口卡(SLIC)

设备标记

ZXTN2011Z

半导体

参数符号极限单位

集电极基极电压BVCBO 200 V

集电极-发射极电压bvceo 100 V

发射器基极电压bvebo 7 V

连续集电极电流(A)IC 4.5 A

峰值脉冲电流Icm 10 A

Ta=25°C(A)时的功耗

线性降额系数

钯1.5

12瓦

MW/°C

Ta=25°C时的功耗(b)

线性降额系数

钯2.1

16.8瓦

MW/°C

工作和储存温度范围tj,tstg-55至+150°C

绝对最大额定值

参数符号极限单位

接至环境(A)RJA 83°C/W

连接至环境(B)RJA 60°C/W

力学数据

案例:SOT89:

&#8226;外壳材料:模压塑料。“绿色”成型化合物。

•UL可燃性等级94V-0

•水分敏感性:根据J-STD-020,1级

•端子:表面处理-哑光镀锡导线,可根据

MIL-STD-202,方法208

•重量:0.05克(近似值)

应用

•电机驱动

•线路切换

•高压侧开关

•用户线路接口卡(SLIC)

最大额定值(@TA = + 25°C,除非另有说明。)

特征符号值单位

集电极 - 基极电压VCBO 200 V.

集电极 - 发射极电压VCEO 100 V.

发射极 - 基极电压VEBO 7 V.

连续集电极电流IC 4.5 A.

峰值脉冲电流ICM 10 A.

热特性(@TA = + 25°C,除非另有说明。)

特征符号值单位

功耗(注5)

线性降额系数PD 1.5 12 W.

毫瓦/℃

功耗(注6)

线性降额系数PD 2.1 16.8 W mW /°C

热阻,结至环境(注5)RθJA83°C / W.

热阻,结至环境(注6)RθJA60°C / W.

热阻,结至环境(注7)RθJL3.23°C / W.

工作和存储温度范围TJ,TSTG -55至+ 150°C

ESD评级(注8)

特征符号值单位JEDEC类

静电放电 - 人体模型ESD HBM 4,000 V 3A

静电放电 - 机器型号ESDMM≥400V C.


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